卢志远工作描述

　　卢志远博士率先开发了新一代非易失性存储器（NVM）技术，包括高密度每单元4比特NVM存储、微缩至深度纳米的BE-SONOS器件、三维单栅垂直沟道结构NVM、具备片上自修复功能的高可靠性存储，以及先进的三维NOR闪存技术。基于这些关键发明，卢博士带领团队成功开发了新一代NVM存储产品，并为非易失性存储技术的未来奠定了技术基础，进一步推动了人工智能、移动通信、云计算及边缘计算等领域的广泛应用。
　　 （据未来科学大奖网站）